PCIe M.2 SSDs

MTE712P & MTE712P-I

Твердотельный накопитель Transcend M.2 MTE712P - это твердотельный накопитель с защитой от потери питания (PLP). Во время неожиданных отключений электроэнергии встроенный танталовый конденсатор обеспечивает питание контроллера и кэш-памяти DRAM, обеспечивая целостность данных и надежность хранения. MTE712P также соответствует стандартам TCG (Trusted Computing Group) Opal 2.0. Данные защищены с помощью аппаратного 256-битного шифрования AES и разрешений для конкретных секторов LBA (Logical Block Address).


Transcend MTE712P оснащен 112-слойной 3D NAND-памятью и интерфейсом PCI Express (PCIe) Gen 4 x4, обеспечивающим невиданную ранее скорость передачи данных. Встроенный кэш-память DRAM обеспечивает высокую скорость произвольного чтения и записи и повышает ресурс накопителя. Кроме того, печатная плата gold finger диаметром 30 мкм, технология углового соединения и антисернистые резисторы гарантируют ее надежность в суровых условиях.MTE712P компании Transcend также прошел 100%-ные испытания в камерах для работы при повышенных рабочих температурах в диапазоне от -20℃ до 75℃.

Transcend также предлагает MTE712P-I с широкими температурными возможностями (-40 ℃ ~ 85 ℃) для обеспечения постоянной функциональности, повышенной долговечности и оптимальной надежности в критически важных приложениях.


Технологии

112-слойная 3D NAND флеш-память

Позолоченные разъёмы толщиной 30 мкм

Угловая заливка

Расширенный диапазон рабочих температур

Широкий диапазон рабочих температур

Механизм динамического терморегулирования

Термодатчик

AES шифрование

TCG Opal

Защита от нарушений во время чтения

Противосерная Технология

Сборка Мусора

Выравнивание износа

TRIM

Управление поврежденными блоками

Power Loss Protection (PLP)

Технология раннего перемещения данных (Early Move)

Характеристики Прошивки

  • Поддержка NVM команд
  • Динамический термальный троттлинг
  • Встроенная функция исправления ошибок (LDPC ECC)
  • Продвинутый алгоритм глобального выравнивания износа и управления блоками для большей надежности
  • Продвинутый алгоритм сборки мусора
  • Поддерживает функцию S.M.A.R.T. для мониторинга, анализа и отчетности о состоянии устройств хранения данных.
  • Команды TRIM для лучшей производительности
  • Команды NCQ для лучшей производительности
  • Полное шифрование накопителя при помощи AES
  • Соответствие спецификациям TCG Opal и IEEE 1667

Характеристики Оборудования

  • Соответствие стандарту RoHS 2.0
  • Совместимость с NVM Express 1.4
  • Совместимость с PCI Express 4.0
  • Компактный форм-фактор M.2 (80 мм) - идеально подходит для мобильных устройств
  • Интерфейс PCIe Gen 4x4
  • Встроенный кэш DDR4 DRAM
  • Высококачественная 3D NAND флэш память
  • Гарантированная надежность: память 3000 циклов программирования/стирания
  • Основные компоненты изделия усилены угловой заливкой
  • Золотое напыление толщиной 30 мкм
  • Anti-sulfur technology implemented to prevent sulfurization in the environment
  • Функция защиты от потери питания помогает предотвратить потерю информации при внезапном отключении энергии.
  • Расширенный диапазон рабочих температур (-20°C ~ 75°C) и широкий диапазон рабочих температур (-40°C ~ 85°C) доступны
*Поддерживает стандарт Microsoft® eDrive

Характеристики

Внешний вид
Размеры80 mm x 22 mm x 3.88 mm (3.15" x 0.87" x 0.15")
Вес9 g (0.32 oz)
M.2
  • 2280-D2-M (Двухсторонний)
Форм-фактор
  • M.2 2280

Интерфейс
Интерфейс шины
  • NVMe PCIe Gen4 x4

Хранилище
Емкость
  • 256 ГБ
  • 512 ГБ
  • 1 ТБ
  • 2 ТБ
Тип Flash памяти
  • 112-слойная Память типа 3D NAND

Рабочая обстановка
Рабочее напряжение
  • 3.3В±5%
Температура эксплуатации
  • Стандартный диапазон
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • расширенный диапазон рабочих
    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
  • Широкий диапазон
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
Температура хранения-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
Влажность5% ~ 95%
Удар
  • 1500 G, 0.5 ms, 3 оси
Вибрация (рабочая)20 G (двойная амплитуда), 7 Hz ~ 2000 Hz (частота)

Питание
Потребляемая мощность (рабочая)4 ватт
Потребляемая мощность (IDLE)1.35 ватт

Производительность
Последовательное чтение/запись (CrystalDiskMark)Чтение: До 3,800 MБ/с
Запись: До 3,100 MБ/с
4K Произвольное чтение/запись (IOmeter)Чтение: До 350,000 IOPS
Запись: До 340,000 IOPS
Среднее время наработки на отказ (MTBF)3,000,000 час (ов)
Запись в терабайтах (TBW)До 4,320 TBW
Ресурс перезаписи в день (DWPD)1.97 (3 лет)
Примечание
  • Производительность может варьироваться из-за аппаратной части компьютера, установленных программ, использования и емкости накопителя.
  • Рабочая нагрузка, используемая для оценки DWPD, может отличаться от фактической рабочей нагрузки, которая может варьироваться в зависимости от аппаратного обеспечения, ПО, использования и емкости накопителя.
  • Ресурс TBW (Terabytes Written) – ключевая характеристика для оценки надёжности накопителя, показывающая общий объем данных, который можно на него записать.

Гарантия
Сертификат
  • CE
  • UKCA
  • FCC
  • BSMI
Гарантия
  • Трехлетняя Ограниченная Гарантия
Условия гарантии
  • Здесь можно найти дополнительную информацию об условиях гарантии Transcend.
  • Гарантия не распространяется на SSD, у которых индикатор износа в программе Scope Pro показывает 0%.
  • Из-за сложности и разнообразия промышленных приложений Transcend не может гарантировать 100% совместимость со всеми платформами и всеми сценариями использования. Для особых условий использования настоятельно рекомендуется связаться с Transcend заранее для уточнения.
  • Программа Scope Pro доступна по запросу. Пожалуйста, обратитесь к нам за дополнительной информацией.

Информация о заказе

256GB
  • TS256GMTE712P
  • TS256GMTE712P-I
512GB
  • TS512GMTE712P
  • TS512GMTE712P-I
1TB
  • TS1TMTE712P
  • TS1TMTE712P-I
2TB
  • TS2TMTE712P
  • TS2TMTE712P-I