Лучшая производительность операций ввода/вывода
Пропускная способность на 50 % выше, чем у 96-слойной флеш-памяти.
Более высокая плотность
Плотность на кристалле достигает 1 Тбит, что на 50 % больше по сравнению с предыдущим поколением
Отличная выносливость
До трех тысяч циклов записи/стирания для работы в сложных условиях эксплуатации
Высококачественная флеш-память NAND
Микросхемы и контроллеры высочайшего качества от ведущих мировых поставщиков
Управление температурным режимом
Механизм динамического теплового дросселирования поддерживает температуру накопителя и позволяет повысить уровень надежности хранения данных
Расширенный диапазон рабочих температур
Стабильная работа при температурах от -20℃ до 75℃
Ударопрочные
Для повышения устойчивости к ударам и вибрации, основные компоненты усилены технологией угловой заливки
Тщательное заводское тестирование
Продукция подвергается тщательному тестированию на надежность, совместимость, а также проходит проверку интенсивными циклами чтения/записи и динамическими испытаниями длительными нагрузками