DDR3-1600 Unbuffered SO-DIMM

TS512MSK64W6N

  • 4GB
  • Низкое напряжение

Небуферизованная память Long-DIMM и SO-DIMM с более низким рабочим напряжением (1.35В) обеспечивают экономию энергии, по сравнению со стандартными модулями памяти, которые работают при напряжении 1.5В.

Характеристики

DRAM модуль

Тип RAM
DDR3
Тип DIMM
Unbuffered SO-DIMM
Скорость
1600
Тайминги
CL11
Емкость
4GB
Ранг
2Rx8
DRAM
(256Mx8)x16
Напряжение
1.35V
Пин
204 pin
Высота печатной платы
1.18 дюймов

Рабочая обстановка

Рабочая температура
  • Стандартный диапазон
    0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
  • Широкий диапазон
    °C (°F) ~ °C (°F)
Примечание
  • Рабочая температура - это температура окружающей среды (Ta).

Гарантия

Гарантия
  • Ограниченная Пожизненная Гарантия
Условия гарантии
  • Здесь можно найти дополнительную информацию об условиях гарантии Transcend.
  • Из-за сложности и разнообразия промышленных приложений Transcend не может гарантировать 100% совместимость со всеми платформами и всеми сценариями использования. Для особых условий использования настоятельно рекомендуется связаться с Transcend заранее для уточнения.

Если вы уже разрешили использование файлов «cookie», вы можете отозвать свое согласие в любой момент времени. Дополнительные сведения можно найти в документе «Положение о файлах «cookie». Изменить настройки

Если вы уже отклонили использование файлов «cookie», вы можете дать свое согласие в любой момент времени. Дополнительные сведения можно найти в документе «Положение о файлах «cookie». Изменить настройки