DDR3-1600 Unbuffered SO-DIMM

TS1GSK64W6H-G

  • 8GB
  • Низкое напряжение

Небуферизованная память Long-DIMM и SO-DIMM с более низким рабочим напряжением (1.35В) обеспечивают экономию энергии, по сравнению со стандартными модулями памяти, которые работают при напряжении 1.5В.

Характеристики

DRAM модуль

Тип RAM
DDR3
Тип DIMM
Unbuffered SO-DIMM
Скорость
1600
Тайминги
CL11
Емкость
8GB
Ранг
2Rx8
DRAM
(512Mx8)x16
Напряжение
1.35V
Пин
204 pin
Высота печатной платы
1.18 дюймов
Толщина золотого напылениея PCB
30 µ”

Рабочая обстановка

Температура эксплуатации
  • Стандартный диапазон
    0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
  • Широкий диапазон
    °C (°F) ~ °C (°F)

Гарантия

Гарантия
  • Ограниченная Пожизненная Гарантия
Условия гарантии
  • Здесь можно найти дополнительную информацию об условиях гарантии Transcend.
  • Из-за сложности и разнообразия промышленных приложений Transcend не может гарантировать 100% совместимость со всеми платформами и всеми сценариями использования. Для особых условий использования настоятельно рекомендуется связаться с Transcend заранее для уточнения.

Если вы уже разрешили использование файлов «cookie», вы можете отозвать свое согласие в любой момент времени. Дополнительные сведения можно найти в документе «Положение о файлах «cookie». Изменить настройки

Если вы уже отклонили использование файлов «cookie», вы можете дать свое согласие в любой момент времени. Дополнительные сведения можно найти в документе «Положение о файлах «cookie». Изменить настройки